[サムスン電子、4世代ナンドのラインアップ大幅に拡大する]
サムスン電子が「4世代(64段)256ギガビット(Gb)3bit Vナンドフラッシュ」のラインアップを大幅に拡大する。
4世代Vナンドは「超高集積セル構造・工程」と「超高速の動作回路設計」、「超高信頼性CTF(Charge Trap Flash)薄膜形成」など3つの革新技術が適用され、3世代(48段)製品に比べ速度と生産性、電力効率、いずれも30%以上向上された製品だ。
サムスン電子は1月、世界的なB2B顧客たちに供給を開始したSSDに続き、モバイル用eUFS、消費者向けSSD、メモリーカードなどに4世代Vナンドを拡大すると15日、明らかにした。 サムスン電子は今年中に月間生産の比重を50%以上に増やし、グローバルな顧客の需要増加に対応していく方針だ。
Vナンドはデータを保存するセルを作る時、数十個の段を築いて上から下段まで数十億個の微細なホール(Hole、穴)を均一に開けて、垂直にセル(Cell)を積層する「3次元(円筒型)CTFセル構造」になっている。
しかし、段数が高くなるほど、形成した構造がずれたり、最上段と最下段セルの特性の差が生じるなど積層技術は物理的限界があった。
これにサムスン電子は「9-Hole」という「超高集積セル構造・工程」技術を開発し、それぞれの階ごとに均一なホールパターンを形成して全段の荷重を分散して限界を克服した。
これでサムスン電子は4世代Vナンドを機に、90段以上の垂直積層限界を克服して、半導体チップ一つに1兆個以上の情報を保存する「1テラ(Tera)ビットVナンド」時代を開く源泉技術も確保した。
また、「超高速の動作回路設計」で超党1ギガビットのデータを伝送し、セルにデータを記録する速度(tPROG)も10ナノ級(Planar、平面)ナンドに比べて約4倍、3世代Vナンドより約1.5倍早い500μs(マイクロ初め、100万分の1秒)を達成した。
4世代(64段)Vナンドは速くなった速度だけでなく、動作電圧を3.3Vで2.5Vに下げ、総消費電力効率も30%以上高めた。
特に原子単位で制御できるCTF薄膜を形成してセルのサイズを減らしながらも、書き・消去特性寿命を高め、セルとセルの間ののデータ干渉現象を最小化する制御技術(チャンネル薄膜化)も具現し、3世代に比べ信頼性も20%向上させた。
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