サムスン電子とSKハイニックスなど韓国内の半導体製造会社が急成長している3Dナンドフラッシュ市場で主導権を強化するため、技術開発競争に積極的に参入した。
彼らは4世代(64段、72段)3Dナンドフラッシュの量産に本格的に乗り出す一方、、次世代技術である5世代(90段隊)3Dナンドフラッシュの開発にも集中する様子だ。 ともに生産施設の拡大にも積極的だ。
◆サムスン電子、世界最大容量「1テラ」Vナンド公開
サムスン電子は8日(現地時間)、米サンタクララ・コンベンションセンターで開かれた「フラッシュメモリーサミット2017」で世界最大容量の「1テラビット(Tb)64段ナンドフラッシュ」製品を初公開した。 これはデータを保存する3次元セル(cell)の容量を既存の(512Gb)より2倍に増やした製品だ。 サムスン電子は今回に公開した1Tb 3Dナンドフラッシュが適用された最大容量のSSD製品を来年に本格的な発売を開始する予定だ。
サムスン電子は96段3Dナンドフラッシュの開発にも盛んに行われている。 最近、垂直積層限界を克服するため、「9-Hole」という超高集積セル構造の工程技術を開発しており、これは90段以上の製品開発に土台になるものと期待されている。
これと共にサムスン電子は最近、稼動を開始した平沢(ピョンテク)工場を通じてサーバ、PC、モバイル用などナンド製品全体で4世代3Dナンドフラッシュラインアップを強化している。 1月、グローバルB2B顧客たちに供給を開始したSSDに続き、モバイル用eUFS、消費者向けSSD、メモリーカードなどに4世代3Dナンドフラッシュを拡大し、年内に月間生産の比重を50%以上に増やす方針だ。
◆SKハイニックス、新工場の早期稼動など72段の量産拡大
SKハイニックスは現在、最高技術の72段3Dナンドフラッシュの量産を拡大し、90段台の製品の開発を急いで完了し、市場での優位を持っていくという計画だ。
SKハイニックスは今月初めから72段3Dナンドフラッシュを量産し始めた。 この製品は従来の48段備えた積層数を1.5倍高め、従来の量産設備を最大限活用して48段の製品より生産性を30%向上させた。 チップ内部の高速回路設計を適用、動作速度を2倍引き上げ、読み取りと書き込みの性能は20%強化した。
SKハイニックスは2019年完工予定のナンドフラッシュの新規工場の稼動を来年下半期に繰り上げる案も検討している。 7兆ウォンと計画した今年の施設投資金額も9兆6000億ウォンに増やしたという。
業界の関係者は"SKハイニックスがDラムに依存する事業構造から抜け出すためにはナンドフラッシュメモリの市場占有率を高めなければならない"、"最近、SKハイニックスが90段台の製品開発と施設投資に積極的に乗り出した理由"と説明した。
一方、市場調査機関のIHSマキットによると、1四半期の世界ナンドフラッシュ市場はサムスン電子(36.7%)、東芝(17.2%)、ウェスタン・デジタル(15.5%)、SKハイニックス(11.4%)、マイクロン(11.1%)、インテル(7.4%)などの順で、1位の企業が独走するなか、残りの業者が2位の座を巡って争っている。 サーバ用のナンドの需要などが急増し、世界ナンドフラッシュの売上は2021年、毎年7%以上増えるものと観測される。
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