[SKハイニックス、2000億ウォンかけて統合研究開発センター設立する]
SKハイニックスが半導体技術力量を高めるため、統合研究開発センターを設立する。 このため、2000億ウォン以上を投資する予定だ。
SKハイニックスは地上15階、地下5階に、延べ面積約万平方メートル規模の利川(イチョン)キャンパス研究開発センターを建設すると28日、明らかにした。 来月着工して2019年9月に完工する計画だ。
この研究開発センターは利川キャンパス・M14工場の隣の敷地に造成され、4000人余りの人材を受け入れることになる。
研究開発センターが完工されれば、利川キャンパス内の複数の建物に分散されていた未来技術研究院やナンド開発事業部門の人材が一つの空間に集まるようになる。
特にDラム開発事業部門などが入居しているスーペックスセンター(SUPEX Center)とR3ビルにも隣接して、「統合研究開発ハブ」になる見通しだ。 疎通と協業を強化して相乗効果を極大化し、より効率的な研究開発が可能になると会社側は期待した。
また、SKハイニックスは世界最高レベルの半導体技術力をさらに強化するため、今年一年間、1000人以上を採用するという計画だ。
一方、SKハイニックスはメモリー半導体産業における競争力を強化するため、研究開発投資を持続的に拡大している。 2012年、SKグループへの編入後、8000億ウォンだった研究開発費の投資額が徐々に増加し、昨年は2兆1000億ウォンあまりを執行した。 これは昨年の売上高比12.2%にのぼる規模で、研究開発費が2兆ウォンを突破したのは初めてだ。 今年上半期にもすでに1兆1000億ウォン以上の研究開発費を執行し、もう一度史上最大規模の研究開発費投資が行われる見通しだ。
<亜洲日報の記事等を無断で複製、公衆送信 、翻案、配布することは禁じられています。>
