SKハイニックス、業界初の96段4Dナンドフラッシュ発売予定… 来年上半期に本格的量産

박수정 기자

登録 : 2018-08-09 16:45 | 修正 : 2018-08-09 16:45

[SKハイニックス、業界初の96段4Dナンドフラッシュ発売予定… 来年上半期に本格的量産]



SKハイニックスで業界で初めて4Dナンドフラッシュを発売する。

9日、業界によると、SKハイニックスは7日(現地時間)から3日間、米サンタクララ・コンベンションセンターで開かれた半導体コンファレンス「フラッシュメモリーサミット」に参加し、世界初の96段4Dナンドフラッシュの発売計画を明らかにした。 今年年末、サンプル出荷を皮切りに、来年上半期から市場に本格的に披露する。

◆清州M15工場の初の作品

今年の年末に完工予定のSKハイニックスの「清州(チョンジュ)M15」工場で初めて生産する96段4Dナンドフラッシュは従来のSKハイニックスの最上級のモデルである72段(4世代)3Dナンドフラッシュ比面積が20%減り、読み取りと書き込みの速度はそれぞれ30%、25%ずつ速くなる。

SKハイニックスはこの技術を適用して128段ナンドフラッシュも開発できると期待している。 業界では積層競争の激化で、5世代までに急速に発展してきたが、技術力の限界などによって進化が次第に鈍化する状況だ。 4D技術はこれを克服し、今後のナンドフラッシュ市場の一軸として位置づけられるものと業界ではみている。

業界の関係者は"ナンドフラッシュの動作を管掌するペリー(Peri)領域をセル(Cell:データが保存される最小単位)の下段に配置(Peri Under Cell:PUC)して積層概念を一段階上げたもの"とし、"セル間の干渉を最小化し、間隔を狭めるCTF(Charge Trap Flash)の形の構造を備えて効率性も高い"と説明した。

◆QLCナンドフラッシュ、来年下半期にサンプル発売

SKハイニックスは4D技術でQLC(クワッドレベルセル)ナンドフラッシュの競争にも参入する。 来年下半期にサンプル発売するという方針だ。

QLCナンドフラッシュは従来のTLC(トリプルレベルセル)のようなチップの大きさで、保存容量を33%も増やすことができ、ビックデータやクラウドコンピューティング用途の大規模データセンター市場で注目されている。 サムスン電子は7月、チップ一つに1テラビット(Tb)の容量を具現したQLC Vナンド基盤の消費者向け4テラバイト(TB)SSDを業界初の量産に入ったことがある。

ウェスタン・デジタルは最近、東芝と共同で、96段3Dナンドフラッシュ基盤のQLC技術開発を完了し、本格的にサンプル出荷を開始した。 ウェスタン・デジタルが発表した96段QLCナンドフラッシュはチップ一つに1.33Tbで、サムスン電子が量産する1Tb 64段QLC Vナンドより容量が33%大きい。

業界の関係者は"ナンドフラッシュ業界が96段とQLCでナンドフラッシュ工程を一斉に高度化することによって、後発開発メーカーであるSKハイニックスは4Dという新しい技術で差別化を図ること"とし、"ともに、今年下半期からナンドフラッシュの生産に入る中国との技術格差を広げようとする戦略の一環とみられる"と伝えた
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