​SKハイニックス、3世代10ナノ級のDDR4 Dラム開発

박수정 기자

登録 : 2019-10-21 16:39 | 修正 : 2019-10-21 16:39

[​SKハイニックス、3世代10ナノ級のDDR4 Dラム開発]



SKハイニックスは21日、3世代10ナノ級(1z)の微細工程を適用した16ギガビット(Gbit)ダブルデータレート(DDR)4 Dラムを開発したと明らかにした。

16Gbは単一チップ基準で業界最大容量だ。 ウェハー1枚で生産されるメモリ総容量も現存するDラムの中で最も大きい。 原価競争力も備えている。 2世代(1y)製品に比べ生産性が約27%向上した。 超高価の極紫外線(EUV)露光工程がなくても生産可能だ。

データ伝送速度はDDR4規格の最高速度の3200Mbpsまで支援する。 2世代8Gb製品で作った同一容量のモジュールより電力消費を約40%減らし、電力効率も改善した。

特に3世代製品は以前世代の生産工程には使用しなかった新規物質を適用し、Dラム動作の核心要素である静電容量を極大化した。 新しい設計技術を導入し、動作安定性も高めた。

SKハイニックスは次世代モバイルDラムのLPDDR5と最高速DラムのHBM3など多様な応用先にわたって3世代10ナノ級の微細工程技術を拡大適用していく計画だ。
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