[サムスン電子・SKハイニックス、昨年のR&D費用 過去「最大」]
サムスン電子とSKハイニックスの昨年の研究開発(R&D)費用が史上最高値を記録した。
2日、関連業界によると、サムスン電子は昨年、R&D費用として18兆6600億ウォンを支出した。 これまでの最高記録だった前年(16兆8100億ウォン)より11.0%増えたのだ。
特に10年前の2009年(7兆5600億ウォン)と比較すると、2倍以上増加した。 総売上(243兆7700億ウォン)で占める比重も7.65%に達し、2003年(8.10%)以来、最高値を記録した。
こうした先制的な大規模投資は「超格差」につながっている。
サムスン電子は昨年の事業報告書で、独歩的な研究開発成果で、それぞれ世界初、世界最高速度の次世代スマートフォン用256ギガバイト(GB)級の保存媒体UFS、10ナノ級8ギガビット(Gb)DDR4 Dラム、5世代Vナンド基盤のPC SSD(ソリッドステート・ドライブ)量産などを挙げた。
特許も着実に獲得している。 サムスン電子は昨年、国内2055件、米国で6062件を獲得した。
ライバル会社のSKハイニックスも似ている。 昨年だけでR&D費用として2兆8950億ウォンを出した。 昨年(2兆4870億ウォン)より16.4%も増加したもので、3年連続で2兆ウォン台の支出を続けた。
ただ、R&D費用が売上で占める割合は7.2%で、前年(8.3%)より小幅に減少した。 最大の売上を上げ、一部薄らぎを見せている。
昨年末基準でSKハイニックスは半導体関連、1万2786件(特許1万2588件・商標198件)に上る知識財産権を保有している。
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