サムスン電子が業界で初めて「High-kメタルゲート(HKMG)」工程を適用、512ギガバイト(GB)容量のDDR5メモリモジュールを開発した。HKMGの工程で作られたDDR5メモリモジュールは従来と対比し、電力消耗を約13%減らすことができる。
25日、サムスン電子によると、今回開発した高容量DDR5モジュールは業界最高水準の高容量・高性能・省電力を具現し、次世代コンピューティング、大容量データセンター、人工知能など先端産業の発展のコアソリューションの役割を果たすものと期待される。
この製品はメモリ半導体工程の微細化による漏洩電流を防ぐため、誘電率定数(K)が高い物質を適用するHKMG工程を導入した。
HKMGが適用されたサムスン電子のDDR5メモリモジュールは既存の工程に比べ、電力消耗が約13%減少し、データセンターのように電力効率が重要な応用先で、最適のソリューションとなるものとみられる。
また、この製品には汎用Dラム製品では初めて8段TSV(Through Silicon Via、シリコン貫通電極)技術が適用された。TSV技術はメモリーチップを積層し、大容量を具現する技術で、従来のワイヤを利用してチップを連結するワイヤボンディング(Wire Bonding)技術より、速度と消費電力を大きく改善することができる。
サムスン電子は高容量メモリ市場の拡大とデータ基盤応用先の拡散によって、16Gb(ギガビット)基盤で8段TSV技術を適用し、DDR5 512GBモジュールを開発した。
サムスン電子はHKMG工程と8段TSV技術が適用された高容量DDR5メモリを次世代コンピューティング市場の顧客の需要によって、適期に商用化する計画だ。
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