「ファウンドリ超格差」サムスン電子 "GAA技術3ナノ、来年上半期に世界初の量産"

박수정 기자

登録 : 2021-10-07 14:42 | 修正 : 2021-10-07 14:42

[「ファウンドリ超格差」サムスン電子 "GAA技術3ナノ、来年上半期に世界初の量産"]



"来年上半期、Gate All Around(以下、GAA)技術が適用された3ナノを量産し、差別化された技術革新を続けていく。"

チェ・シヨンサムスン電子・ファウンドリ事業部社長は7日午前2時、オンラインで行われた「サムスンファウンドリフォーラム2021」で、このように明らかにした。サムスン電子が来年上半期、3ナノに量産に入る場合、世界初となる可能性が大きい。

業界によると、台湾TSMCは来年2月から3ナノ工程の生産ラインを稼動し、7月から3ナノ技術が適用されたインテル中央処理装置(CPU)とグラフィック処理装置(GPU)の量産に入るものと知られた。

ただし、同じ3ナノとしても、TSMCは従来のFinFET工程がそのまま適用され、GAA技術で生産するサムスン電子の製品より性能が落ちることになる。事実上、微細工程技術におり、サムスン電子が優位を占めることになるのだ。

チェ社長は“2023年には3ナノ第2世代、2025年にはGAA基盤の2ナノ工程を量産する”とし、“3ナノ工程の場合、安定的な生産歩留まりを確保し、量産のための準備が進められている”と強調した。

GAA技術は従来のFinFET技術よりチップ面積を減らし、消費電力を削減させながら、性能を高めた新技術だ。 電力効率、性能、設計柔軟性を持っており、工程の微細化を持続するのに必須だ。

特に、サムスン電子の独自GAA技術であるMBCFET™(Multi Bridge Channel FET)構造を適用した3ナノ工程はFinFET基盤の5ナノ工程性能比は30%向上する。また、電力の消耗は50%、面積は35%減少するものと予想される。

さらに、チェ社長はFinFET基盤の17ナノ新工程の導入計画も発表した。彼はこれと関連し、"コスト的な側面における効率性と応用分野別の競争力を備えた製品を提供するため、FinFET技術を持続して改善している"と説明した。

17ナノ工程は従来の28ナノ工程性能比は39%、電力効率は49%向上する。また、面積は43%減少するものとみられる。チェ社長は同日のフォーラムで、イメージセンサー、モバイルディスプレードライバー集積回路(IC)など製品にも17ナノの新工程を適用することで、さまざまな応用先への拡大の可能性も提示した。

チェ社長は"大規模な投資を通じ、生産力を拡大し、GAAなど先端の微細工程だけでなく、従来の工程においても差別化された技術革新を続けていく"とし、"新型コロナにより、急激なデジタル転換が行われている中、顧客たちの多様なアイデアがチップで具現化できるよう、差別化された価値を提供していく"と付け加えた。

一方、サムスンファウンドリフォーラムは2016年に初めて始まった。サムスン電子が毎年、主要諸国を回り、顧客会社を相手に、ファウンドリ事業のロードマップや新技術を紹介する行事だ。ただ、昨年には新型コロナの事態で、フォーラムが取り消された。今年、2年ぶりにオンラインで行事が開かれた。
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