[SKハイニックス、現在世界最高層の「238段4D NAND」開発に成功…来年上半期から量産]
SKハイニックスが現存する世界最高層の238段NANDの開発に成功したと3日、明らかにした。 最近、232段NANDフラッシュを開発した米マイクロンを一段階越えた技術力と評価されている。 NANDフラッシュ世界シェア1位のサムスン電子も176段の開発に止まっているという。
SKハイニックスは最近、238段512Gb(ギガビット)TLC(Triple Level Cell)4D Nand Flashサンプルを顧客に発売し、来年上半期の量産に入る計画だ。
会社側は“2020年12月、176段NANDを開発してから、1年7ヶ月ぶりに次世代技術開発に成功した”とし、“特に、今回の238段NANDは最高層でありながら、世界で最も小さい大きさの製品で具現されたということに意味を置く”と明らかにした。
新製品の238段は段数が高くなったのはもちろん、世界最小の大きさで作られ、前世代の176段対比生産性が34%高くなった。 以前より単位面積当たりの容量が大きくなったチップが、ウェハー当たりさらに多くの個数で生産されるためだ。
また、238段のデータ伝送速度は1秒当たり2.4Gbで、前世代対比50%速くなった。 また、チップがデータを読む時に使うエネルギー使用量が21%減り、電力消耗節減を通じてESG側面の成果も出した。
TLCで単位面積当たりの貯蔵データも増えた。 NANDフラッシュは一つのセルにいくつかの情報(ビット単位)を貯蔵するかによって、SLC(Single Level Cell、1つ)-MLC(Multi Level Cell、2つ)-TLC(Triple Level Cell、3つ)-QLC（Quadruple Level Cell、4つ)-PLC(Penta Level Cell、5つ)などに規格が分かれる。 情報貯蔵量が増えるほど、同じ面積により多くのデータを貯蔵することができる。
SKハイニックスは2018年に開発したNAND 96段から従来の3Dを超えた4D製品を披露してきた。 4次元構造でチップが具現される4Dを作るため、会社の技術陣はCTF(Charge Trap Flash)とPUC(Peri Under Cell)技術を適用した。 4Dは3D対比単位当たりのセル面積が減りながらも、生産効率は高くなる長所があると会社側は強調した。
SKハイニックスは同日、米国で開幕した「フラッシュメモリーサミット（Flash Memory Summit、FMS）2022」で新製品を公開した。 フラッシュメモリーサミットは毎年、米カリフォルニア州サンタクララで開かれるNANDフラッシュ業界の世界最大規模のカンファレンスだ。 今年の行事基調演説で、SKハイニックスはNANDソリューション子会社のソリダイム(Solidigm)と共同発表を行った。
基調演説に乗り出したSKハイニックス・NAND開発担当のチェ·ジョンダル副社長は“4D NAND技術力を土台に開発した238段を通じ、原価、性能、品質面でグローバルトップクラスの競争力を確保した”とし、“今後も技術限界を突破するために革新を繰り返していく”と強調した。
SKハイニックスはPC貯蔵装置であるcSSD(client SSD)に入る238段製品を先に供給し、その後、スマートフォン用とサーバー用高容量SSDなどに製品活用範囲を広げていく計画だ。 続き、来年には現在の512Gbより容量を2倍高めた1Tb製品も披露する予定だ。
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